[发明专利]一种氮掺杂碳包裹的钨氧氮纳米线阵的制备方法在审
| 申请号： | 202110040190.X | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112899719A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 彭根英 | 申请（专利权）人： | 彭根英 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25B1/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 324014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂碳包裹的钨氧氮纳米线阵的制备方法，通过水热的方法在碳布合成了氧化钨的纳米线阵列，然后在二氰二胺的惰性氛围中高温热解氧化钨的纳米线阵列制备目标产物。本发明通过简单地调控分解温度以及二氰二胺的量控制碳层的厚度，保证在钨氧氮纳米线上均匀的包裹上碳层，同时预先搭建的纳米线阵列结构也能有效避免金属粒子的团聚。本发明制备的WON@NC NWs/CC，在全pH范围内，展现出了优异的化学活性，氮掺杂到碳外层中提高电极材料的导电性，从而加速传质效率。同时有效的减缓内核中的WON溶解。此外，氮元素掺杂到氧化钨结构中不仅能显著的调节钨原子的电子结构，还能进一步增强WON@NC NWs/CC的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 包裹 钨氧氮 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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