[发明专利]三维半导体存储器装置

摘要

公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括堆叠在基底上的电极并且在连接区域上具有阶梯结构；垂直沟道结构，位于单元阵列区域上以穿透电极结构并且电连接到基底；虚设结构，位于连接区域上以穿透阶梯结构；以及第一侧壁氧化物图案，置于基底与虚设结构之间。虚设结构包括位于基底上的上部分、与第一侧壁氧化物图案接触的中间部分以及位于中间部分下方的下部分。随着距上部分的垂直距离增大，中间部分的直径减小直到中间部分的直径达到其最小值，然后增大。