[发明专利]ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110010268.3 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112331616B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 袁野;詹奕鹏;蔡信裕;柯天麒;陈建铨;蒲源 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法，其中，所述ESD保护结构的制造方法包括：提供一基底，且所述基底上形成有浅沟槽隔离结构；在基底中形成第一掺杂类型的阱和与其相邻的第二掺杂类型的阱；在所述第一掺杂类型的阱中形成第一注入区，所述第一注入区为第一掺杂类型；在所述第二掺杂类型的阱中形成第二注入区和第三注入区，所述第二注入区和第三注入区被所述浅沟槽隔离结构隔离，且所述第二注入区为第二掺杂类型，所述第三注入区为第一掺杂类型；将所述第一注入区接地，所述第二注入区连接电源，所述第三注入区浮接。通过上述方法制备的ESD保护结构能够阻断寄生BJT的触发，从而避免闩锁效应发生，解决系统级ESD失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
