[发明专利]ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110010268.3 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112331616B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 袁野;詹奕鹏;蔡信裕;柯天麒;陈建铨;蒲源 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种ESD保护结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，且所述基底上形成有浅沟槽隔离结构；
在所述基底中形成第一掺杂类型的阱和与其相邻的第二掺杂类型的阱；
在所述第一掺杂类型的阱中形成第一注入区，所述第一注入区为第一掺杂类型；
在所述第二掺杂类型的阱中形成第二注入区和第三注入区，所述第二注入区和第三注入区被所述浅沟槽隔离结构隔离，且所述第二注入区为第二掺杂类型，所述第三注入区为第一掺杂类型；以及
将所述第一注入区接地，所述第二注入区连接电源，所述第三注入区浮接，且通过所述第三注入区浮接来移除寄生BJT的发射极。
2.如权利要求1所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型掺杂，所述第二掺杂类型为P型掺杂；或者，所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类型为N型掺杂。
3.如权利要求1所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，在所述第二掺杂类型的阱中形成第二注入区和第三注入区的步骤之前，还包括：
在所述第二掺杂类型的阱上形成栅极。
4.如权利要求3所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，所述栅极连接电源。
5.如权利要求3所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，在所述第二掺杂类型的阱中还形成有第四注入区，且所述第三注入区和第四注入区位于所述栅极两侧。
6.如权利要求1所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，在所述第一掺杂类型的阱中还形成第五注入区，所述第五注入区为第二掺杂类型，且所述第五注入区通过所述浅沟槽隔离结构与所述第一注入区隔离。
7.如权利要求6所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，所述第五注入区接地。
8.如权利要求1所述的ESD保护结构的制造方法，其特征在于，所述基底中形成所述第一掺杂类型的阱和所述第二掺杂类型的阱的过程包括：
采用光刻技术定义出第一掺杂类型的阱区域，并进行第一掺杂离子注入，形成第一掺杂类型的阱；
再次采用光刻技术定义出第二掺杂类型的阱区域，并进行第二掺杂离子注入，形成所述第二掺杂类型的阱，所述第一掺杂类型的阱区域与所述第二掺杂类型的阱区域相邻。
9.一种ESD保护结构，其特征在于，根据权利要求1~8中任一项所述的ESD保护结构的制造方法制备得到。
10.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：焊盘、如权利要求9所述的ESD保护结构以及芯片内部电路，所述焊盘分别与所述ESD保护结构和芯片内部电路连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
