[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202110003998.0 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN113299751A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;王冠人;傅劲逢 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种结构，包括：栅极堆叠，位于衬底的沟道区域之上；源极/漏极区域，与沟道区域相邻；第一层间电介质(ILD)层，位于源极/漏极区域之上；硅化物，位于第一ILD层和源极/漏极区域之间，硅化物与源极/漏极区域的顶表面和源极/漏极区域的底表面接触；以及第一源极/漏极接触件，具有第一部分和第二部分，第一源极/漏极接触件的第一部分设置在硅化物与第一ILD层之间，第一源极/漏极接触件的第二部分延伸穿过第一ILD层并且与硅化物接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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