[发明专利]等离子体处理用气体、等离子体处理方法及等离子体处理装置

摘要

[课题]提供：可以抑制对地球温室效应的影响，并且可以执行吞吐量高的等离子体处理的等离子体处理装置等。[解决方法]本发明的等离子体处理装置100具备：腔室(1)，其在内部生成等离子体；载置台(2)，其配置在腔室内、用于载置基板S；和，气体供给源(3)(3a～3d)，其向腔室内供给用于生成等离子体的气体，该装置通过交替重复执行使用等离子体对基板进行蚀刻的蚀刻处理S2、和使用等离子体于通过蚀刻处理形成的凹部形成保护膜的保护膜形成处理S3，从而对基板进行深度蚀刻。特征在于，保护膜形成处理S3中，作为为了生成等离子体而供给的气体，由气体供给源(3b)、(3c)向腔室内供给C4F8与2,3,3,3‑四氟丙烯的混合气体。