[发明专利]等离子体处理用气体、等离子体处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理用气体，其为C₄F₈与2,3,3,3-四氟丙烯的混合气体。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理用气体，其中，

所述混合气体中的2,3,3,3-四氟丙烯的流量比率为5％以上且60％以下。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理用气体，其中，

所述混合气体中的2,3,3,3-四氟丙烯的流量比率为20％以上且小于100％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理用气体，

其用于基板的成膜处理。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理用气体，

其用于基板的深度蚀刻中的保护膜形成处理。

6.一种等离子体处理方法，其通过交替重复执行使用等离子体对基板进行蚀刻的蚀刻处理、和使用等离子体于通过所述蚀刻处理形成的凹部形成保护膜的保护膜形成处理，从而对所述基板进行深度蚀刻，

所述保护膜形成处理中，作为为了生成等离子体而供给的气体，使用权利要求5所述的等离子体处理用气体。

7.一种等离子体处理装置，其具备：

腔室，其在内部生成等离子体；

载置台，其配置在所述腔室内、用于载置基板；和，

气体供给源，其向所述腔室内供给用于生成等离子体的气体，

所述等离子体处理装置通过交替重复执行使用等离子体对基板进行蚀刻的蚀刻处理、和使用等离子体于通过所述蚀刻处理形成的凹部形成保护膜的保护膜形成处理，从而对所述基板进行深度蚀刻，

所述保护膜形成处理中，作为为了生成等离子体而供给的气体，由所述气体供给源向所述腔室内供给权利要求5所述的等离子体处理用气体。