[发明专利]用于溅射沉积的方法和设备在审
| 申请号： | 202080090605.8 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114930489A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | M.伦达尔 | 申请（专利权）人： | 戴森技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/34;C23C14/35;C23C14/56;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张邦帅 |
| 地址： | 英国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于将靶材料(108)溅射沉积到基底(116)的设备(100)。在一种形式中，该设备包括基底引导件(118)和靶部分(106)，该基底引导件布置成沿着弯曲路径(C)引导基底，该靶部分与基底引导件间隔开并且布置成支撑靶材料。靶部分和基底引导件在其之间限定了沉积区(114)。设备包括用于向靶材料施加电偏置的偏置器件(122)。该设备还包括限制装置(104)，其包括一个或多个磁性元件(104a,104b)，其布置成提供限制磁场以将等离子体(112)限制到所述沉积区，从而在使用中提供所述靶材料到所述基底的卷材的溅射沉积，所述限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在所述沉积区中基本上遵循弯曲路径的曲线以便将所述等离子体限制成围绕弯曲路径的所述曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 溅射 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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