[发明专利]用于溅射沉积的方法和设备

权利要求书

1.一种溅射沉积设备，其包括：

基底引导件，其布置为沿着弯曲路径引导基底；

靶组件，包括：

靶部分，其与所述基底引导件间隔开并且布置成支撑靶材料，所述靶部分和所述基底引导件在其二者之间限定沉积区；以及

偏置器件，其用于向所述靶材料施加电偏置；以及

限制装置，其包括一个或多个磁性元件，所述一个或多个磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在所述沉积区中，从而在使用中提供所述靶材料到所述基底的溅射沉积，所述限制磁场的特征在于磁场线布置成，至少在所述沉积区中，基本上遵循弯曲路径的曲线以便将所述等离子体限制成围绕弯曲路径的所述曲线。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述偏置器件配置成将具有负极性的电偏置施加到所述靶材料。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述偏置器件配置成将包括直流电压的电偏置施加到所述靶材料。

4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，所述设备还包括等离子体生成装置，所述等离子体生成装置配置成生成等离子体。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述偏置器件配置成以第一功率值将所述电偏置施加到所述靶材料，并且所述等离子体生成装置配置成以第二功率值生成所述等离子体，使得所述第二功率值与所述第一功率值的比率大于1。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第二功率值与所述第一功率值的比率小于3.5或小于1.5。

7.根据权利要求5或6所述的设备，其中，所述第一功率值至少为每平方厘米一瓦，1Wcm^-2。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的设备，所述第一功率值至多为每平方厘米十五瓦，15W cm^-2，或至多每平方厘米七十瓦，70W cm^-2。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的设备，其中，所述等离子体生成装置包括电感耦合等离子体源。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的设备，其中，所述等离子体生成装置包括在基本上垂直于所述基底引导件的纵向轴线的方向上延伸的一个或多个细长天线。

11.根据权利要求4至9中任一项所述的设备，其中，所述等离子体生成装置包括在基本上平行于所述基底引导件的纵向轴线的方向上延伸的一个或多个细长天线。

12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述靶部分布置成支撑多种靶材料，并且所述偏置器件配置成将电偏置独立地施加到所述多种靶材料中的一种或多种相应靶材料。

13.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述一个或多个磁性元件布置成提供所述限制磁场以将等离子体限制为弯曲薄片形式。

14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述一个或多个磁性元件布置成提供所述限制磁场，以将等离子体限制成弯曲薄片的形式，其至少在所述沉积区中，具有基本上均匀密度。

15.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述磁性元件中的一个或多个是电磁铁。

16.根据权利要求17所述的设备，其中，所述设备包括控制器，所述控制器布置成控制由所述电磁铁中的一个或多个提供的磁场。

17.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述限制装置包括所述磁性元件中的至少两个，其布置成提供所述限制磁场。