[发明专利]用于改善掩模图案生成一致性的方法在审
| 申请号： | 202080086061.8 | 申请日： | 2020-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN114981724A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张权;周大栋;陈炳德;卢彦文 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/70;G03F7/20;G06N20/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中描述了一种确定待印制在衬底上的目标图案的掩模图案的方法(400)。该方法包括：参考目标图案上的给定位置，将包括目标图案的设计布局(401)的一部分划分(P401)成多个单元(402)；在多个单元中的特定单元内分配(P403)多个变量(403)，特定单元包括目标图案或目标图案的一部分；以及基于多个变量的值，确定(P405)目标图案的掩模图案(405)，使得使用掩模图案的图案化过程的性能度量在期望的性能范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 图案 生成 一致性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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