[发明专利]无漂移相变存储器有效
| 申请号： | 202080083943.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN114747034B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李宁;J·德扎索;S·博德尔;D·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 相变 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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