[发明专利]无漂移相变存储器

权利要求书

1.一种用于制造相变存储器(PCM)的方法，所述方法包括：

在衬底的顶部上沉积底部电极；

在所述底部电极的顶部上沉积介电材料层；

在所述介电材料层中创建孔；

在剩余的介电材料层上旋涂并烘烤剥离层；

在所述剥离层的顶部上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层；

执行UV光刻以在所述介电材料层中的所述孔上方形成开口；

在所述底部电极的顶部上以及在所述剩余介电材料层和所述光致抗蚀剂层上沉积Ag层；

在所述Ag层的顶部上沉积碲锗锑GST层；

在所述GST层的顶部上沉积顶部电极；以及

去除位于所述光致抗蚀剂层的顶部上的所述Ag层、所述GST层、以及所述顶部电极叠置体以及所述光致抗蚀剂层和所述剥离层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述Ag层和所述GST层的沉积期间，两个层都能够通过热混合产生Ag掺杂的GST合金层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Ag层具有小于20nm的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Ag层具有在5nm至10nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述GST层具有小于200nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述GST层具有在20nm至50nm之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料层中的所述孔具有1微米或更小的横向尺寸。

8.一种用于制造相变存储器(PCM)的方法，所述方法包括：

在衬底的顶部上沉积底部电极；

在所述底部电极的顶部上沉积介电材料层；

在所述介电材料层中创建孔；

在具有所述孔的所述介电材料层上旋涂并烘烤剥离层；

在所述剥离层的顶部上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层；

执行UV光刻以在所述介电材料层中的所述孔上方形成开口；

在所述底部电极的顶部上以及在剩余的介电材料层和所述光致抗蚀剂层上沉积第一Ag层；

在所述第一Ag层的顶部上沉积碲锗锑GST层；

在所述GST层的顶部上沉积第二Ag层；

在所述第二Ag层的顶部上沉积顶部电极；以及

去除位于所述光致抗蚀剂层之上的所述第一Ag层、所述GST层、所述第二Ag层以及所述顶部电极以及所述光致抗蚀剂层和所述剥离层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在沉积所述第一Ag层、所述GST层和所述第二Ag层期间，所有三个层能够通过热混合产生Ag掺杂的GST合金层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一Ag层和所述第二Ag层具有小于20nm的厚度。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一Ag层和所述第二Ag层具有在5nm与10nm之间的厚度。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述GST层具有小于200nm的厚度。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述GST层具有在20nm至50nm之间的厚度。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述介电材料层中的所述孔具有1微米或更小的横向尺寸。