[发明专利]高频放大器在审
| 申请号： | 202080071306.X | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114556780A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 桥长达也;森山豊 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/195;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高频放大器，包括：驱动放大器，将被输入的高频信号放大；以及多赫蒂放大器，包括载波放大器、峰值放大器，将所述驱动放大器所输出的信号进一步放大，所述高频放大器具有：第一多层基板；第二多层基板，与所述第一多层基板重合地层叠；以及基底构件，搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板，所述驱动放大器搭载于所述第二多层基板，所述载波放大器、所述峰值放大器搭载于所述第一多层基板，所述驱动放大器、所述载波放大器以及所述峰值放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面，所述驱动放大器的所述表面与所述第一多层基板对置，所述驱动放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离，所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件相接，所述驱动放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层，所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端，所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件。 | ||
| 搜索关键词： | 高频放大器 | ||
【主权项】：
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