[发明专利]高频放大器

权利要求书

1.一种高频放大器，包括：

驱动放大器，将被输入的高频信号放大；以及

多赫蒂放大器，包括载波放大器、峰值放大器，将所述驱动放大器所输出的信号进一步放大，

所述高频放大器具有：

第一多层基板；

第二多层基板，与所述第一多层基板重合地层叠；以及

基底构件，搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板，

所述驱动放大器搭载于所述第二多层基板，

所述载波放大器、所述峰值放大器搭载于所述第一多层基板，

所述驱动放大器、所述载波放大器以及所述峰值放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面，

所述驱动放大器的所述表面与所述第一多层基板对置，所述驱动放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离，

所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件相接，

所述驱动放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层，所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端，所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件。

2.根据权利要求1所述的高频放大器，其中，

所述基底构件还具备：输入端子，供所述高频信号从外部输入；以及输出端子，向外部输出由所述多赫蒂放大器放大后的信号，

所述输入端子连接于第二过孔的一端，该第二过孔贯通所述基底构件、所述第一多层基板以及作为所述第二多层基板的一部分层的与所述第一多层基板相接的层，所述第二过孔的另一端连接于所述驱动放大器的输入，

所述输出端子连接于第三过孔的一端，该第三过孔贯通作为所述第一多层基板的一部分层的与所述基底构件相接的层和所述基底构件，所述第三过孔的另一端连接于所述多赫蒂放大器的输出。

3.根据权利要求2所述的高频放大器，其中，

所述驱动放大器的输出连接于第四过孔的一端，该第四过孔贯通作为所述第一多层基板的一部分层的与所述第二多层基板相接的层和作为所述第二多层基板的一部分层的与所述第一多层基板相接的层，所述第四过孔的另一端连接于所述载波放大器的输入和所述峰值放大器的输入。

4.根据权利要求3所述的高频放大器，其中，

所述多赫蒂放大器还包括分支电路、相位调整电路以及多赫蒂网络，

所述分支电路和所述相位调整电路设于所述第二多层基板，

所述多赫蒂网络设于所述第一多层基板。

5.根据权利要求4所述的高频放大器，其中，

所述峰值放大器被配置为具有比所述载波放大器大的饱和输出，

所述相位调整电路设于所述分支电路与所述峰值放大器之间并且设于所述第二多层基板，使所述峰值放大器的输入信号的相位延迟。

6.一种高频放大器，包括：

第一放大器，将被输入的高频信号放大；以及

第二放大器和第三放大器，将所述第一放大器所输出的信号进一步放大，

所述高频放大器具有：

第一多层基板；

第二多层基板，与所述第一多层基板重合地层叠；以及

基底构件，搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板，

所述第一放大器搭载于所述第二多层基板，

所述第二放大器、所述第三放大器搭载于所述第一多层基板，

所述第一放大器、所述第二放大器以及所述第三放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面，

所述第一放大器的所述表面与所述第一多层基板对置，所述第一放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离，

所述第二放大器和所述第三放大器的背面均与所述基底构件相接，

所述第一放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层，所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端，所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件，

所述第一放大器的电力消耗比所述第二放大器和所述第三放大器各自的电力消耗小。