[发明专利]光电转换元件、电子设备及发光装置在审
| 申请号： | 202080071186.3 | 申请日： | 2020-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN114586182A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 町田真一;能泽克弥;宍戸三四郎 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/0328;H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的一个实施方式的光电转换元件具备：第一电极(2)；第二电极(3)；以及光电转换层(4)，其包含多个半导体型碳纳米管、和对上述多个半导体型碳纳米管作为施主或受主发挥功能的第一材料，并且位于上述第一电极(2)与上述第二电极(3)之间。上述多个半导体型碳纳米管具有下述吸光特性：在第一波长下包含第一吸收峰，在比上述第一波长短的第二波长下包含第二吸收峰，在比上述第二波长短的第三波长下包含第三吸收峰。上述第一材料对选自上述第一波长与上述第二波长之间的第一波长范围、及上述第二波长与上述第三波长之间的第二波长范围中的至少一个波长范围的光透明。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 电子设备 发光 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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