[发明专利]光电转换元件、电子设备及发光装置

权利要求书

1.一种光电转换元件，其具备：

第一电极；

第二电极；以及

光电转换层，其包含多个半导体型碳纳米管、及对所述多个半导体型碳纳米管作为施主或受主发挥功能的第一材料，并且位于所述第一电极与所述第二电极之间，

所述多个半导体型碳纳米管具有下述吸光特性：在第一波长下包含第一吸收峰，在比所述第一波长短的第二波长下包含第二吸收峰，在比所述第二波长短的第三波长下包含第三吸收峰，

所述第一材料对于选自所述第一波长与所述第二波长之间的第一波长范围、及所述第二波长与所述第三波长之间的第二波长范围中的至少一个波长范围的光透明。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第二波长范围包含400nm～650nm的波长范围。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，

所述第一波长为1300nm～1600nm。

4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，

所述多个半导体型碳纳米管包含具有选自(8,7)、(14,0)、(13,2)、(9,7)、(11,4)、(12,2)、(12,4)、(10,6)、(13,0)、(11,6)、(9,8)、(15,1)、(14,3)、(10,8)、(13,3)、(14,1)、(13,5)、(12,5)、(11,7)、(17,0)、(12,7)、(16,2)及(10,9)中的至少一种手性的半导体型碳纳米管。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光电转换元件，其中，

所述第一材料的能隙为3.1eV以上。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，

所述第一材料包含选自TiO₂、ZnO、AlZnO、InGaZnO、In₂O₃、SnO₂、Ta₂O₅、NTCDA、TCNQ及TCNNQ中的至少一种。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的光电转换元件，其中，

所述第一材料对于400nm～650nm的波长范围的光透明，

所述第一材料的能隙为3.1eV以下。

8.根据权利要求7所述的光电转换元件，其中，

所述第一材料包含选自BT-CIC及CO_i8DFIC中的至少一者。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的光电转换元件，其中，

多个半导体型碳纳米管各自的直径均匀。

10.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，

所述第一波长为1500nm～1800nm。

11.根据权利要求10所述的光电转换元件，其中，

所述多个半导体型碳纳米管包含具有选自(10,8)、(13,3)、(14,1)、(13,5)、(12,5)、(11,7)、(17,0)、(12,7)、(16,2)、(10,9)、(15,4)、(14,4)、(15,2)、(16,0)、(13,6)、(11,9)、(14,6)、(12,8)、(18,1)、(13,8)、(17,3)、(11,10)、(16,3)、(16,5)、(17,1)、及(15,5)中的至少一种手性的半导体型碳纳米管。

12.一种电子设备，其具备：

由权利要求1～11中任一项所述的光电转换元件构成的第一光电转换元件、以及

接收透过了所述第一光电转换元件的光的第二光电转换元件。