[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080067470.3 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN114467181A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 梅木真也 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包含：第一导电型的半导体基板，其具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面；第二导电型的阱区，其形成在所述第一主面的表层部，将所述半导体基板划分为有源区以及外侧区；IGBT，其包含在所述第二主面的表层部中形成于所述有源区的第二导电型的集电极区、以及在所述第一主面中形成于所述有源区的FET结构；二极管，其包含在所述第二主面的表层部中仅形成于所述外侧区的第一导电型的阴极区，所述二极管具有所述阱区作为阳极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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