[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

第一导电型的半导体基板，其具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面；

第二导电型的阱区，其形成在所述第一主面的表层部，将所述半导体基板划分为有源区以及外侧区；

IGBT，其包含在所述第二主面的表层部中形成于所述有源区的第二导电型的集电极区、以及在所述第一主面中形成于所述有源区的FET结构；以及

二极管，其包含在所述第二主面的表层部中仅形成于所述外侧区的第一导电型的阴极区，所述二极管具有所述阱区作为阳极区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区形成于所述第二主面的表层部的整个区域，

以通过第一导电型杂质抵消所述集电极区的第二导电型杂质的方式，形成所述阴极区。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区形成于与所述阱区重叠的区域。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区仅形成于与所述阱区重叠的区域。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区具有所述有源区的平面面积的1％以上且10％以下的平面面积。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区具有所述有源区的平面面积的1％以上且5％以下的平面面积。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区呈线状延伸，

所述阴极区沿着所述阱区呈线状延伸。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区形成为无端状。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区形成为有端状。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区包含形成为岛状的焊盘阱区以及从所述焊盘阱区呈线状引出的线阱区，

所述阴极区在俯视图中形成于与所述线阱区重叠的区域。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区在俯视图中未形成于与所述焊盘阱区重叠的区域。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极区在俯视图中仅形成于与所述线阱区重叠的区域。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还包含：栅极焊盘，其在所述第一主面上覆盖所述焊盘阱区。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还包含：发射极焊盘，其在所述第一主面上覆盖所述有源区。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还包含：第二导电型的FL区，其在所述外侧区形成于所述第一主面的表层部，并在俯视图中从所述阴极区向所述有源区的相反侧的方向分离。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

所述FL区在俯视图中包围所述阱区。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还包含：第一导电型的缓冲区，其形成于所述第二主面的表层部，

所述集电极区以及所述阴极区在所述缓冲区中分别形成于所述第二主面侧的表层部。