[发明专利]氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法在审
| 申请号： | 202080066953.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114423891A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社赛奧科思;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
氮化物半导体衬底，是具有2英寸以上的直径，并具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面的氮化物半导体衬底，FWHM2 |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 层叠 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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