[发明专利]氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法在审
| 申请号： | 202080066953.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114423891A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社赛奧科思;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 层叠 结构 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体衬底，是具有2英寸以上的直径，并具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面的氮化物半导体衬底，其中，
FWHM2{10－12}相对于FWHM1{10－12}的比率为80％以上，
其中，FWHM1{10－12}和FWHM2{10－12}分别是根据X射线摇摆曲线测量所测量的{10－12}面衍射的半峰全宽，
在测量FWHM1{10－12}时的入射条件中，从Cu的X射线源，按顺序经由使X射线为平行光的X射线反射镜、Ge(220)二次反射单色器、和作为围绕测角仪旋转轴的旋转角方向的ω方向的宽度为1.4mm且与所述旋转轴平行方向的长度为12mm的入射侧开口，对于所述主面的中心照射Cu的Kα1的X射线，
在测量FWHM1{10－12}时的光接收条件中，开启光接收侧狭缝且不经由分光晶体，通过具有所述ω方向的宽度为14.025mm的开口的探测器接收X射线，
测量FWHM2{10－12}时的入射条件与测量FWHM1{10－12}时的入射条件同样，
在测量FWHM2{10－12}时的光接收条件中，经由具有所述ω方向的宽度为6.54mm的入口开口的Ge(220)三次反射分光晶体，由所述探测器接收X射线。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体衬底，其中，FWHM2{10－12}相对于FWHM1{10－12}的所述比率为100％以下。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体衬底，其中，从以所述主面中心的法线为轴而沿着周向按每60°旋转后的3个方向，测量由{10－12}面表示的等效晶面的衍射得到的FWHM1{10－12}的极差为9arcsec以下。
4.一种氮化物半导体衬底，是具有2英寸以上的直径，并具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面的氮化物半导体衬底，其中，
从以所述主面中心的法线为轴而沿着周向按每60°旋转后的3个方向，测量由{10－12}面表示的等效晶面的衍射得到的FWHM1{10－12}的极差为9arcsec以下，
其中，FWHM1{10－12}是根据X射线摇摆曲线测量而测量的{10－12}面衍射的半峰全宽，
在测量FWHM1{10－12}时的入射条件中，从Cu的X射线源，按顺序经由使X射线为平行光的X射线反射镜、Ge(220)二次反射单色器、和作为围绕测角仪旋转轴的旋转角方向的ω方向的宽度为1.4mm且与所述旋转轴平行方向的长度为12mm的入射侧开口，对于所述主面的中心照射Cu的Kα1的X射线，
在测量FWHM1{10－12}时的光接收条件中，开启光接收侧狭缝且不经由分光晶体，通过所述ω方向的宽度为14.025mm的开口的探测器接收X射线。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体衬底，其中，FWHM1{10－12}为50arcsec以下。
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