[发明专利]光刻过程的子场控制和相关联设备在审

专利信息
申请号: 202080063335.1 申请日: 2020-08-06
公开(公告)号: CN114667488A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: J·F·F·克林哈梅;V·阿尔蒂尼;H·E·卡图;T·W·M·提森 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王益
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 披露了一种用于确定针对使用光刻设备在曝光场上曝光图案的光刻过程的控制的校正的方法。所述方法包括:获得描述跨越所述曝光场的至少一部分上的性能参数的空间变化的空间分布;和共同确定针对所述空间分布的控制配置文件以在最小化所述性能参数中的误差的同时确保最小对比度品质。所述共同确定的控制配置文件至少包括用于控制所述光刻设备的平台布置的平台控制配置文件和用于控制所述光刻设备的透镜操纵器的透镜操纵器控制配置文件,所述光刻设备的所述透镜操纵器能够操作以在垂直于所述衬底平面的方向上对至少放大率执行校正。
搜索关键词: 光刻 过程 控制 相关 设备
【主权项】:
暂无信息
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