[发明专利]用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜在审
| 申请号： | 202080061205.4 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN114303239A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 罗德尼·顺隆·利马;金正倍;王家锐;崔羿;任东吉;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜晶体管 氮化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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