[发明专利]用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜在审
| 申请号： | 202080061205.4 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN114303239A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 罗德尼·顺隆·利马;金正倍;王家锐;崔羿;任东吉;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜晶体管 氮化 | ||
1.一种钝化膜堆叠物，包括：
氧化硅层，设置于工件上；和
富氮氮化硅层，设置于所述氧化硅层上；
其中所述富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。
2.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述富氮氮化硅层具有约27at％至约34at％的硅浓度、约42at％至约65at％的氮浓度和约18at％至约25at％的氢浓度，且其中所述富氮氮化硅层具有大于1.03至约2的氮硅比。
3.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述富氮氮化硅层具有约0.5％至约6％的硅-氢键结浓度。
4.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述富氮氮化硅层具有小于30％的总氢键结浓度。
5.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述富氮氮化硅层具有约1×10-8g/m2/天至约1×10-4g/m2/天的水电阻率。
6.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述富氮氮化硅层具有约1nm至约500nm的厚度。
7.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述氧化硅层具有约50nm至约1,000nm的厚度。
8.如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，进一步包括富氢氮化硅层，所述富氢氮化硅层设置于所述富氮氮化硅层上，其中所述富氢氮化硅层具有大于所述富氮氮化硅层的氢浓度。
9.一种薄膜晶体管，包括如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述薄膜晶体管包括：
缓冲层，设置于基板上；
第一金属层，设置于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设置于所述第一金属层和所述缓冲层上；
金属氧化物层，设置于所述栅极绝缘层上；和
第二金属层，设置于所述金属氧化物层和所述栅极绝缘层上；
其中所述钝化膜堆叠物的所述氧化硅层设置于所述第二金属层、所述金属氧化物层和所述栅极绝缘层的至少一者上。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述钝化膜堆叠物进一步包括富氢氮化硅层，所述富氢氮化硅层设置于所述富氮氮化硅层上，且其中所述富氢氮化硅层具有大于所述富氮氮化硅层的氢浓度。
11.一种薄膜晶体管，包括如权利要求1所述的钝化膜堆叠物，其中所述薄膜晶体管包括：
缓冲层，设置于基板上；
第一金属层，设置于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设置于所述第一金属层和所述缓冲层上；
金属氧化物层，设置于所述栅极绝缘层上；
蚀刻终止层，设置于所述金属氧化物层和所述栅极绝缘层上；和
第二金属层，设置于所述蚀刻终止层和所述金属氧化物层上；
其中所述钝化膜堆叠物的所述氧化硅层设置于所述第二金属层和所述蚀刻终止层的至少一者上。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述钝化膜堆叠物进一步包括富氢氮化硅层，所述富氢氮化硅层设置于所述富氮氮化硅层上，且其中所述富氢氮化硅层具有大于所述富氮氮化硅层的氢浓度。
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