[发明专利]用于生产微米线或纳米线的方法在审
| 申请号： | 202080047265.0 | 申请日： | 2020-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN114127891A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 弗洛里安·杜邦;杰罗姆·纳皮尔拉 | 申请（专利权）人： | 艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本描述涉及一种制造包括含有III‑V族化合物的微米或纳米尺寸的线(22)的器件的方法，该方法包括：对于每条线，通过金属‑有机物气相外延的步骤形成线的至少一部分(24)，该金属‑有机物气相外延的步骤包括：将V族元素的第一前体气体、III族元素的第二前体气体和作为III‑V族化合物的掺杂物的附加元素的第三前体气体注入到反应器中，气体中的附加元素的第三前体气体在线的所述部分具有均匀掺杂物浓度的情况下在线的该部分中提供大于5.10 |
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| 搜索关键词： | 用于 生产 微米 纳米 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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