[发明专利]用于生产微米线或纳米线的方法

权利要求书

1.一种制造包括含有III-V族化合物的微米或纳米尺寸的线(22)的器件的方法，所述方法包括：对于每条线，通过金属-有机物气相外延的步骤形成所述线的至少一部分(24)，所述金属-有机物气相外延的步骤包括：将V族元素的第一前体气体、III族元素的第二前体气体和作为所述III-V化合物的掺杂物的附加元素的第三前体气体注入到反应器中，其中附加元素的第三前体气体的流量与所述III族元素的第二前体气体的流量之比大于3*10^-4，以在线部分具有均匀掺杂物浓度的情况下在所述线部分中获得大于5.10¹⁹个原子/cm³、例如大于1.10²⁰个原子/cm³的掺杂物浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述线部分的表面处的掺杂物浓度大于1.10²⁰个原子/cm³，和/或所述线部分被覆盖有不同于所述III-V族化合物并包含所述附加元素的材料层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一前体气体的流量与所述第三前体气体的流量之比小于或等于1000，例如等于130。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在形成所述部分(24)的步骤所述反应器中的温度大于或等于950℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在形成所述部分(24)的步骤所述反应器中的温度大于或等于1000℃。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在形成所述部分(24)的步骤V/III之比小于或等于100。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在形成所述部分(24)的步骤所述V/III之比小于或等于50，例如等于5。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，包括向反应器中注入中性气体，并且其中在形成所述部分(24)的步骤所述中性气体的流量与所述第二前体气体的流量之比小于100，例如等于10。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三前体气体的流量与所述第二前体气体的流量之比小于1000，例如等于130。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述第三前体气体的流量与所述中性气体的流量之比小于1000000，例如等于1300。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，包括通过金属-有机物气相外延步骤连续形成至少所述线的第一部分(24)和所述线的第二部分(26)，所述金属-有机物气相外延步骤包括将所述V族元素的第一前体气体、所述III族元素的第二前体气体、以及作为所述III-V化合物的掺杂物的附加元素的第三前体气体注入到所述反应器中，所述气体能够将所述第一部分形成为在所述第一部分具有均匀掺杂物浓度的情况下在所述线的所述第一部分中获得大于5.10¹⁹个原子/cm³、例如大于1.10²⁰个原子/cm³的掺杂物浓度，所述第三前体气体的流量被减少或停止以形成所述第二部分。