[发明专利]实验培育钻石的制造在审
| 申请号： | 202080037018.2 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113853456A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·亚勇 | 申请（专利权）人： | 路赛斯有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/12;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 以色列耐*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制造实验室培育的钻石材料的方法。当基底被支承在支架中的凹部内时，基底暴露于含有碳物质的等离子体，导致单晶钻石(SCD)在基底上培育，而多晶钻石(PCD)沉积在基底支架上。在本发明中，通过控制施加的能量、基底支架的冷却和处理气体的化学组成中的至少一个来设定在基底上的单晶钻石的相对培育速率和在支架的表面上的多晶钻石的相对培育速率，使得培育在基底上的单晶钻石突出到支架表面之上，并且被约束以通过在支架的表面上同时培育多晶钻石层，随着与支架的表面的距离增加而不增加或减小横截面积。 | ||
| 搜索关键词： | 实验 培育 钻石 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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