[发明专利]半导体装置及电子设备在审
| 申请号： | 202080035144.4 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113875152A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 池田隆之;国武宽司;木村肇;马场晴之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24;H04B1/38;H01L27/06;H01L29/24;H01L29/78;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种功耗低的半导体装置。在具备设置于低电源电位一侧的第一晶体管及设置于高电源电位一侧的第二晶体管的共源共栅电路中，第二晶体管的栅极与第三晶体管的源极或漏极及电容连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的背栅极电连接。作为第三晶体管，使用OS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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