[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080032977.5 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113767479A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 国武宽司;大嶋和晃;津田一树;热海知昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/1156;H03K3/03 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种根据工作温度的特性不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种以环状连接奇数级的反相器电路的半导体装置，其中反相器电路包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极和漏极中的一方，第一晶体管的源极和漏极中的一方被供应高电源电位，第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接到输出端子out。第二晶体管的栅极电连接到输入端子in，第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到输出端子out，第二晶体管的源极和漏极中的另一方被供应低电源电位。第一晶体管及第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。第一晶体管及第二晶体管都包括背栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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