[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种包括n级(n为3以上的奇数)的反相器电路的半导体装置，

其中，在所述n级的反相器电路中，

第i级(i为2以上且n-1以下的自然数)的反相器电路的输出电连接到第i+1级的反相器电路的输入，

第i-1级的反相器电路的输出电连接到所述第i级的所述反相器电路的输入，

第n级的反相器电路的输出电连接到第1级的所述反相器电路的输入，

所述n级的反相器电路各自包括第一晶体管及第二晶体管，

所述第一晶体管的栅极电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一方，

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的一方电连接到第一端子，

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到输出端子，

所述第二晶体管的栅极电连接到输入端子，

所述第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到所述输出端子，

所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到第二端子，

所述第一晶体管包括第一背栅极，

所述第二晶体管包括第二背栅极，

所述第一晶体管及所述第二晶体管都在各半导体层中包含氧化物半导体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体包含In和Zn中的至少一方。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体具有CAAC结构。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一端子被供应高电源电位Vdd，

并且所述第二端子被供应低电源电位Vss。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二晶体管的沟道宽度大于所述第一晶体管的沟道宽度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，该半导体装置具有根据工作温度调整供应给所述第二背栅极的电压的功能。