[发明专利]用于存储器内计算的双极全忆阻器电路有效
| 申请号： | 202080032752.X | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN113811896B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 易伟;乔斯·克鲁兹-阿尔布雷克特 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06N3/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 龚伟;王玉瑾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于执行能量高效且高吞吐量乘法‑累加(MAC)算术点积运算和卷积计算的电路，包括二维交叉阵列和输出忆阻器神经元电路，该二维交叉阵列包括多个行输入和具有多个列电路的至少一列，其中每个相应列电路包括：兴奋性忆阻器神经元电路，其具有耦接到相应行输入的输入；第一突触电路，其耦接到所述兴奋性忆阻器神经元电路的输出；抑制性忆阻器神经元电路，其具有耦接到相应行输入的输入；以及第二突触电路，其耦接到所述抑制性忆阻器神经元电路的输出，输出忆阻器神经元电路耦接到每个列电路的第一输出和第二输出。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 计算 双极全忆阻器 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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