[发明专利]三维铁电随机存取存储器（FERAM）

摘要

三维垂直存储器串阵列包括低成本、低功率或高密度且适用于SCM应用的高速铁电场效应晶体管(FET)单元。本发明的存储器电路提供随机存取能力。存储器串可以形成在衬底的平坦表面上方并且包括沿着相对于平坦表面的垂直方向纵向延伸的垂直栅极电极并且可以包括(i)栅电极之上的铁电层；(ii)栅极氧化物层；(iii)提供在栅极氧化物层之上的沟道层；以及(iv)嵌入氧化物层中并由氧化物层彼此隔离的导电半导体区域，其中栅电极、铁电层、栅极氧化物层、沟道层和每对相邻的半导体区域形成存储器串的储存晶体管，并且其中一对相邻的半导体区域充当储存晶体管的源极区域和漏极区域。