[发明专利]用于形成金属间隙填充物的方法在审
| 申请号： | 202080027926.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113678231A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 岑羲;马飞越;吴凯;雷雨;大东和也;徐翼;维卡什·班西埃;张镁;任河;雷蒙德·霍曼·洪;姚雅宽;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;戴维·T·奥;周静;蹇国强;林志周;赖一鸣;叶佳;王振宇 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/02;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/67;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 金属 间隙 填充物 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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