[发明专利]用于形成金属间隙填充物的方法

权利要求书

1.一种用于形成金属间隙填充物的方法，所述方法包含以下步骤：

在第二层中形成的开口中，在第一层的表面之上形成所述金属间隙填充物的第一部分；

在所述第一部分上实行溅射处理；和

形成所述金属间隙填充物的第二部分，以用所述金属间隙填充物来填充所述开口。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属间隙填充物的所述第一部分和所述金属间隙填充物的所述第二部分由钴、钨或钌制成。

3.如权利要求1所述的方法，其中

所述第一层包含金属，和

所述第二层包含介电层。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在形成所述金属间隙填充物的所述第一部分之前，在所述第一层的所述表面上实行预清洁处理。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述第一层的所述表面上形成金属种晶层，其中所述金属间隙填充物的所述第一部分形成在所述金属种晶层上。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述溅射处理利用氩等离子体。

7.一种用于形成金属间隙填充物的方法，所述方法包含以下步骤：

在第二层中形成的开口中，在第一层的表面之上形成所述金属间隙填充物的第一部分；

在所述第二层的一个或多个侧壁上形成一个或多个层；和

形成所述金属间隙填充物的第二部分，以用所述金属间隙填充物来填充所述开口。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述金属间隙填充物的所述第一部分、所述一个或多个层和所述金属间隙填充物的所述第二部分由钴、钨或钌制成。

9.如权利要求7所述的方法，其中

所述第一层包含金属，并且

所述第二层包含介电层。

10.如权利要求7所述的方法，进一步包含以下步骤：

在形成所述金属间隙填充物的所述第一部分之前，在所述第一层的所述表面上实行预清洁处理；和

在所述第一层的所述表面上形成金属种晶层，其中所述金属间隙填充物的所述第一部分形成在所述金属种晶层上。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述一个或多个层通过利用氩等离子体的溅射处理形成。

12.一种处理系统，包含：

传送腔室；

多个处理腔室，耦接至所述传送腔室；和

控制器，构造成引发要在所述处理系统实行的处理，所述处理包括：

在第二层中形成的开口中，在第一层的表面之上形成金属间隙填充物的第一部分；

在所述第一部分上实行溅射处理；和

形成所述金属间隙填充物的第二部分，以用所述金属间隙填充物来填充所述开口。

13.如权利要求12所述的处理系统，其中所述金属间隙填充物的所述第一部分和所述金属间隙填充物的所述第二部分的由钴、钨或钌制成。

14.如权利要求12所述的处理系统，其中

所述第一层包含金属，并且

所述第二层包含介电层。

15.如权利要求12所述的处理系统，进一步包含

在形成所述金属间隙填充物的所述第一部分之前，在所述第一层的所述表面上实行预清洁处理，和

在所述第一层的所述表面上形成金属种晶层，其中所述金属间隙填充物的所述第一部分形成在所述金属种晶层上。