[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
| 申请号： | 202080019298.4 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113544820A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 中野佑太;田中孝佳;高桥弘明;岩田智巳 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;郝庆芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。基板处理方法具备基板保持工序以及紫外线照射工序。在基板保持工序中，保持在表面形成有微细构造物的基板。在紫外线照射工序中，隔着处理空间与基板的表面对置的紫外线照射器对基板的表面照射紫外线。在紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对处理空间供给气体并将处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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