[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。基板处理方法具备基板保持工序以及紫外线照射工序。在基板保持工序中，保持在表面形成有微细构造物的基板。在紫外线照射工序中，隔着处理空间与基板的表面对置的紫外线照射器对基板的表面照射紫外线。在紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对处理空间供给气体并将处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。

技术领域

本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

以往，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对基板进行各种处理。例如，向表面上形成有电阻(resist)的图案(pattern)的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻处理(所谓的湿法蚀刻(wetetching))。在该蚀刻处理后，进行对基板供给纯水来冲洗表面的药液的清洗(rinse)处理和去除表面的纯水的干燥处理。

当在基板的表面形成有多个微细的图案(以下也称为微细构造物)的情形下，按顺序进行清洗处理和干燥处理时，会有在干燥过程中纯水的表面张力作用于微细构造物而导致微细构造物崩塌的可能性。微细构造物的宽度窄且纵横比(aspect ratio)愈高则此种崩塌愈容易产生。

为了抑制此种崩塌，提案有一种防水化处理，将微细构造物的表面防水化(疏水化)而形成防水膜(有机膜)。在该防水化处理中，大多使用硅烷基(silyl)化剂作为防水剂，且为了提升硅烷基化剂的防水效果也进行使活性剂混合至硅烷基化剂的处理。

另一方面，在干燥处理后，不再需要防水膜。因此，以往也提案有一种用于去除有机物的方法(例如专利文献1、2)。在专利文献1、2中，使用照射紫外线的紫外线照射装置作为有机物的去除装置。对形成有有机物的基板的主表面照射紫外线，由此该紫外线作用于有机物，将该有机物分解而去除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-204944号公报。

专利文献2：日本特开2018-166183号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在有机物的分解的观点中，优选采用光子的能量高的紫外线即波长短的紫外线。其原因在于：光子的能量愈高，则愈能切断更多种类的分子键，从而能迅速地分解有机物。

另一方面，基板上的图案被微细化。即，随着微细构造物的宽度变窄，微细构造物的相互间的间隙也变窄。如此，当微细构造物的间隙变窄时，波长愈短的紫外线愈难以进入该间隙。其原因在于波长短的紫外线难以衍射。如此，在紫外线难以进入至该间隙的情形下，紫外线难以作用于存在于该间隙的有机物。因此，有机物的去除不充分。

因此，本发明的目的在于提供一种基板处理方法以及基板处理装置，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。

用于解决课题的手段

第一方式的基板处理方法具备：基板保持工序，保持在表面形成有微细构造物的基板；以及紫外线照射工序，隔着处理空间与所述基板的所述表面对置的紫外线照射器对所述基板的所述表面照射紫外线，在所述紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对所述处理空间供给气体，将所述处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。

第二方式的基板处理方法是第一方式所述的基板处理方法，其中，在所述紫外线照射工序的至少一部分的期间中，将所述处理空间内的氧浓度调整至0.6vol％以上至7.0vol％以下的浓度范围内。

第三方式的基板处理方法是第一方式或第二方式所述的基板处理方法，其中，将惰性气体以及氧作为所述气体供给至所述处理空间。