[发明专利]微发光二极管发光检查装置及使用该装置的检查方法有效
| 申请号： | 202080018056.3 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113508454B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 山本茂;番场佳彦;安田雅宏;滨野俊之;田畑让;得居道久;颜颉;上原雅史 | 申请（专利权）人： | 奥宝科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01M11/00;G02B5/20;G09F9/33;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的微LED发光检查装置对以0.1mm以下的点间距在晶圆上形成多个的微LED进行品质检查，所述微LED发光检查装置局部包含供电机构、光学透镜、摄像装置、数字图像处理装置、光学滤波器、滤波器驱动机构及控制装置等构造，且使用如下光学滤波器，通过无光学滤波器/有光学滤波器这两种光强度的测定控制，微LED的发光波长也能以相差较大的检查时间高速地决定，所述光学滤波器是通过数字图像处理装置自动地从拍摄图像中发现并特定出作为测定对象的各个微LED，总括测定从画面帧图像产生的微LED的光强度，在规定的光波长带中滤波器透过光强度单调递增或单调递减。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 检查 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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