[发明专利]微发光二极管发光检查装置及使用该装置的检查方法

权利要求书

1.一种微LED发光检查装置，其特征在于，其能够供安装半导体衬底，该半导体衬底供理应个别分离的占据100μm见方以下大小的矩形区域内的微LED呈阵列状排列地形成在表面，且该微LED发光检查装置包含：

供电机构，用来使所述微LED发光；

摄像装置，与所述衬底对向地配设着光学透镜，且具有用来测定所述发光的光强度的图像传感器；

数字图像处理装置，接收所述摄像装置的影像信号；

光学滤波器，配设在所述微LED与所述光学透镜的光路上，具有规定的光波长带；

滤波器驱动机构，支撑所述光学滤波器，且包含控制信号的接收部；及

控制装置，包含所述滤波器驱动机构的控制信号的发送部、及控制部，该控制部用于产生所述控制信号，且用于在系统流程开始时执行流程控制；且

所述光学滤波器在包含符合设计条件的颜色波长的规定光波长带中，滤波器透过光强度单调递增或单调递减，

所述控制装置能够利用所述滤波器驱动机构来选择控制有无所述光学滤波器，

所述数字图像处理装置具备存储器，该存储器用来存储接收到所述影像信号后产生的图像数据帧，且所述数字图像处理装置包含：

单位影像体识别部，用来根据所述图像数据帧上的每个像素的光强度像素映射图，特定出基于规定准则的所述发光的单位影像体，并产生针对所述像素映射图的单位影像体映射数据；

微LED识别部，用于根据所述单位影像体特定出多个所述呈阵列状排列的微LED，并产生将所述微LED映射到所述像素映射图上的微LED映射数据；及

微LED检查部，根据微LED映射图上的光强度映射图上的光强度，利用规定的光能强度计算式来决定所述微LED的光能强度，能够将所述微LED的光能强度中的至少无所述光学滤波器的配置中的所述光能强度值存储在所述存储器中，根据有所述光学滤波器的配置中的所述微LED的所述光能强度值、及无所述光学滤波器的配置中的所述光能强度值，利用规定的微LED的发光波长计算式来决定所述微LED的发光波长。

2.根据权利要求1所述的微LED发光检查装置，其中所述规定的准则是将相对于周围呈现峰值光能强度值的像素特定为所述单位影像体的中心部，将相邻的所述单位影像体中心部间的中央设为所述单位影像体的矩形边界。

3.根据权利要求1或2所述的微LED发光检查装置，其中所述规定的准则是将相对于周围呈现峰值光能强度值的像素特定为所述单位影像体的中心部，根据呈阵列状排列的微LED的间隔设计值，决定所述单位影像体的矩形边界。

4.根据权利要求1所述的微LED发光检查装置，其中所述规定的光能强度计算式是在所述光强度像素映射图上，所述微LED所包含的所述像素的阶段性光强度的总和。

5.根据权利要求1所述的微LED发光检查装置，其中所述光学滤波器是通过已知光波长的光源来校准滤波器特性，且所述微LED发光检查装置存储着查找表，该查找表是关于无所述光学滤波器的配置中的所述光能强度值与有所述光学滤波器的配置中的所述光能强度值的比和所述发光波长的关系，基于所述校准而制成。

6.根据权利要求5所述的微LED发光检查装置，其中所述规定的所述微LED的发光波长计算式是利用所述查找表来参照与所述光能强度比测定值对应的所述发光波长，对中值加算按比例插补来决定所述发光波长。

7.根据权利要求5所述的微LED发光检查装置，其中所述数字图像处理装置还包含针对永久存储器的连接接口，所述滤波器特性及所述查找表能够作为主数据从永久存储器中接收，存储在所述数字图像处理装置内的所述存储器。

8.根据权利要求6所述的微LED发光检查装置，其中所述数字图像处理装置能够在所述摄像装置的光学视野内配设用于所述滤波器特性的校准的已知发光波长的光作为参考光。