[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法在审
| 申请号： | 202080016649.6 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113574654A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以增加埋置弱化面的弱化程度，转移方法的特征在于：‑在退火步骤d)中，将预定应力施加到埋置弱化面达一定时间段，预定应力选择为当达到给定弱化程度时引发分裂波；‑在该时间段结束处，已经达到给定弱化程度，预定应力导致分裂波被引发并且沿埋置弱化面自维持传播，造成将有用层转移到载体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 有用 转移 载体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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