[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法在审
| 申请号: | 202080016649.6 | 申请日: | 2020-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN113574654A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
| 发明(设计)人: | 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
| 主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有用 转移 载体 衬底 方法 | ||
1.一种将有用层(3)转移到载体衬底(4)上的转移方法,所述转移方法包括以下步骤:
a)提供包括埋置弱化面(2)的施主衬底(1),所述有用层(3)由所述施主衬底(1)的正面(1a)和所述埋置弱化面(2)来界定;
b)提供载体衬底(4);
c)由所述施主衬底(1)的所述正面(1a)将所述施主衬底(1)沿接合界面(7)结合到所述载体衬底(4)以形成接合结构(5);
d)对所述接合结构(5)进行退火,以增加所述埋置弱化面(2)的弱化程度;
所述转移方法的特征在于:
-在退火步骤d)中,将预定应力施加到所述埋置弱化面(2)达一定时间段,所述预定应力选择为当达到给定弱化程度时引发分裂波;
-在所述时间段的结束处,已经达到所述给定弱化程度,所述预定应力导致所述分裂波被引发并且沿所述埋置弱化面自维持传播,造成将所述有用层转(3)移到所述载体衬底(4)。
2.根据前一权利要求所述的转移方法,其中,所述时间段在一分钟至五小时之间。
3.根据权利要求1所述的转移方法,其中,所述时间段是退火持续时间的在1%至100%之间的一部分。
4.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,所述转移方法应用于多个接合结构(5)的批量处理,其中,将所述预定应力施加到各个接合结构(5)的所述埋置弱化面(2),使得在各个接合结构(5)达到所述给定弱化程度时引发所述分裂波。
5.根据前一权利要求所述的转移方法,其中,步骤d)中的退火在卧式或立式构造的热处理装置(20)中进行,所述热处理装置(20)适于批量处理多个接合结构(5)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,由定位在所述接合界面(7)处并对所述接合结构(5)的施主衬底(1)和载体衬底(4)的斜切边缘施加挤压力的楔块(10)将所述预定应力局部地施加到所述接合结构(5)的所述埋置弱化面(2),使得在所述埋置弱化面(2)中产生拉伸应变。
7.根据前一权利要求所述的转移方法,其中,所述挤压力在0.5N至50N之间。
8.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,所述给定弱化程度由所述埋置弱化面(2)中被微腔占据的面积限定并且被选择为在1%至90%之间,优选地在5%至40%之间。
9.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,步骤d)中的所述退火达到300℃至600℃之间的最高温度。
10.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,所述预定应力从步骤d)中开始退火起施加。
11.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,所述施主衬底(1)和所述载体衬底(4)由单晶硅制成,并且其中,所述埋置弱化面(2)通过将轻物质离子注入到所述施主衬底中而形成,所述轻物质选自氢和氦,或氢和氦的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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