[发明专利]在半导体制造工艺中用于形成硅或硅化合物图案的新方法在审
| 申请号： | 202080012482.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113424299A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 | 申请（专利权）人： | 荣昌化学制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/02;C11D11/00;C11D7/50 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种在半导体制造工艺中用于实现纵横比大的微细硅图案的工艺，涉及一种为了形成微细硅图案，且为了清除残留在图案下部的有机碳膜不纯物质及由烟气产生的不纯物质而进行清洗工程，以形成所希望的图案而不发生图案被升起的新的清洗方法，具有提供细微图案形成方法的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 用于 形成 化合物 图案 新方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
