[发明专利]在半导体制造工艺中用于形成硅或硅化合物图案的新方法

权利要求书

1.一种形成硅或硅化合物图案的方法，所述方法对于在半导体制造工艺中，在硅或硅化合物层，在氧化硅图案存在下沉积多晶材料层或其他化合物层的工艺，包括：

i)在已图案化的氧化硅上依次层叠有机膜和无机膜，涂布用于形成图案的光刻胶后，经过曝光和显影来形成光刻胶图案的步骤；

ii)利用所述掩模并用能够进行蚀刻的气体进行干蚀刻来进行蚀刻的步骤；

iii)在沉积多晶材料层或其他化合物层前，为了防止由于因所述蚀刻工艺中产生的不纯物质而发生的升起，将残留有有机膜的图案晶圆利用清洗液进行清洗的步骤；及

iv)沉积多晶材料层或其他化合物层后，进行干蚀刻的步骤。

2.根据权利要求1所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，所述利用清洗液进行清洗的步骤，由如下方式实现，

在以0至1,000rpm的速度旋转晶圆的情形下，以1至200mL/s的速度喷射1秒～200秒，然后定置0～180秒，然后进行旋干。

3.根据权利要求2所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

以20至300mL的喷射量喷射清洗液。

4.根据权利要求3所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

以40至300mL的喷射量喷射清洗液。

5.根据权利要求4所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

以50至300mL的喷射量喷射清洗液。

6.根据权利要求1所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

在蚀刻对象物上层叠有机膜和无机膜的方法是用涂布或者用化学或物理沉积的方法。

7.根据权利要求6所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

在蚀刻对象物上层叠的有机膜的碳含量为30％至100％。

8.根据权利要求1所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，用于形成图案的光源具有13.5nm、198nm、248nm、365nm的波长并包括电子束。

9.根据权利要求1所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

形成图案后用于干蚀刻的气体为选自源于氩和氮的惰性气体；由含有1个以上的氟原子的分子构成的气体；或氧气中的一种或混合两种以上的气体。

10.根据权利要求1所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

清洗液使用由1至100重量％的可清洗聚合物残留物的物质、0至99重量％的溶剂、0至3重量％的表面活性剂、0至10重量％的碱性化合物组成的清洗液。

11.根据权利要求10所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

清洗聚合物残留物的物质为选自乙醇系溶剂、酰胺系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂及烃系溶剂的一种或两种以上的混合物。

12.根据权利要求10所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，

碱性化合物为选自胺类及氢氧化铵的一种或两种以上的混合物。