[发明专利]MEMS传感器以及用于制造MEMS传感器的方法在审
| 申请号： | 202080011763.X | 申请日： | 2020-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN113365937A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | C·纳格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS传感器，该MEMS传感器包括衬底、至少三个功能层，所述功能层上下相叠地并且彼此间隔开地与衬底连接，并且其中，至少三个功能层中的第一功能层以能够偏移的方式布置，其中，在第一功能层处布置有第一电极，该第一电极具有至少两个区域，其中，第一电极的第一区域与至少三个功能层中的第二功能层的第二电极形成第一电容，并且其中，第一电极的第二区域与第三功能层的第三电极的至少一个区域形成第二电容，并且其中，这样布置电极，使得在第一电容的电极的间距改变时，以相反的方式改变第二电容的电极的间距。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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