[发明专利]MEMS传感器以及用于制造MEMS传感器的方法

权利要求书

1.MEMS传感器，所述MEMS传感器包括：

衬底，

至少三个功能层(5、7、9)，所述功能层上下相叠地并且彼此间隔开地与所述衬底连接，其中，

所述至少三个功能层(5、7、9)中的第一功能层(9)以能够偏移的方式布置，其中，在所述第一功能层(9)处布置有第一电极(10)，所述第一电极具有至少两个区域(10a、10b、10c)，其中，

所述第一电极(10)的第一区域(10a)与所述至少三个功能层(5、7、9)中的第二功能层(5)的第二电极(11)形成第一电容，其中，

所述第一电极(10)的第二区域(10b、10c)与第三功能层(7)的第三电极(12)的至少一个区域(12a、12b)形成第二电容，其中，

所述电极(10、11、12)布置成，使得在所述第一电容的电极(10、11)的间距改变时，以相反的方式改变所述第二电容的电极(10、12)的间距。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，第二和第三电极(11、12)静态地布置。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的MEMS传感器，其中，所述第二电极(11)布置在所述第一电极(10)的相应的区域(10a；10b、10c)的下方，并且所述第三电极(12)的至少一个区域(12a)布置在所述第一电极的相应的区域的上方。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS传感器，其中，所述第一电极(10)在平行于所述第一功能层(9)的偏移方向(R)的横截面中对称地构造。

5.根据权利要求4所述的MEMS传感器，其中，所述第三电极(12)具有至少两个子电极(12a、12b)，所述子电极相对于所述第一电极(10)的第一区域(10a)对称地布置，其中，所述第一电极(10)的第二区域(10b、10c)具有两个子区域(10b，10c)，其中，子区域(10b，10c)分别以与子电极(12a、12b)共同作用的方式构造用于形成所述第二电容。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS传感器，其中，至少两个电极(10、11、12)的平行于所述第一功能层(9)的所述偏移方向(R)的相应厚度(D)是相同的。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的MEMS传感器，其中，所述衬底(2)在所述第一电极(10)的所述第二区域(10b、10c)的下方的区域中被掺杂有掺杂部(2a)或者具有金属层(2b)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的MEMS传感器，其中，所述第一电极(10)的第一区域(10a)和第二区域(10b)由不同的层(5、7、9)的材料制成，尤其地，其中，所述不同的层(5、7、9)的材料是相同的。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的MEMS传感器，其中，所述第一电极(10)、尤其是所述第二区域(10b、10c)具有增强结构(20)。

10.根据权利要求9所述的MEMS传感器，其中，所述增强结构(20)通过所述第一电极(10)的所述第二区域(10b、10c)的层(5)与布置有所述第三电极(12a、12b)的层(7)部分地连接来形成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的MEMS传感器，其中，以能够偏移的方式布置的功能层(9)具有两个机械分离的、能够偏移的区域(9a、9b)，其中，所述第一电极(10)的第一区域(10a)和第二电极布置在所述第一能够偏移的区域(9a)中，并且所述第一电极的第二区域(10b、10c)和第三电极(12)布置在所述第二能够偏移的区域中。

12.用于制造MEMS传感器(1)的方法，所述方法包括下述步骤：

-提供(S1)衬底(2)，

-提供(S2)至少三个功能层(5、7、9)，所述功能层上下相叠地并且彼此间隔开地与所述衬底连接，

-将第一电极(10)布置在所述第一功能层(9)处，所述第一电极具有至少两个区域(10a、10b、10c)，其中，所述第一电极(10)的第一区域(10a)与所述至少三个功能层(5、7、9)的第二功能层(5)的第二电极(11)形成第一电容，其中，所述第一电极(10)的第二区域(10b、10c)与第三功能层(7)的第三电极(12)的至少一个区域(12a、12b)形成第二电容，其中，

所述电极(10、11、12)布置成，使得在所述第一电容的电极(10、11)的间距改变时，以相反的方式改变所述第二电容的电极(10、12)的间距。