[发明专利]具有非对称沟槽氧化物的碳化硅MOSFET结构在审
| 申请号： | 202080007778.9 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113424328A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 路德-金·恩格文森;伊恩·德文尼;Y·夏尔马 | 申请（专利权）人： | 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王琼先 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此描述了一种基于碳化硅(SiC)的功率半导体器件，包括：第一导电类型的漏极区域；设置在漏极区域上方的第一导电类型的漂移区域，其具有比所述漏极区域的掺杂浓度更低的掺杂浓度；设置在漂移区域上的第二导电类型的本体区域，第二导电类型与第一导电类型相反；第一导电类型的接触区域，设其置在所述本体区域内；源极欧姆接触，其设置在源极区域上方；和与源极区域、本体区域和漂移区域接触的一个或多个沟槽栅极区域。一个或多个沟槽栅极区域中的每个均被构造成在源极区域和漂移区域之间的本体区域中形成沟道区域。至少一个沟槽栅极区域包括：两个竖直侧壁和位于两个竖直侧壁之间的底表面；以及沿着竖直侧壁和底比表面的绝缘层。绝缘层包括不同厚度，使得绝缘层在竖直侧壁中的一个竖直侧壁的包括沟道区域的部分处比在另一竖直侧壁和所述沟槽的底部处更薄。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 沟槽 氧化物 碳化硅 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司，未经丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080007778.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混合驱动装置
- 下一篇：包含可裂解接头的化合物及其用途
- 同类专利
- 专利分类
