[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板有效
| 申请号： | 202080007443.7 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113826222B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王庆;栗伟;何敏游;刘士伟;洪灵愿;林素慧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/06;H01L33/00;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板。DBR结构包括多个反射膜组(1001)，反射膜组(1001)包括依次叠置的折射率不同的第一材料层(1011)和第二材料层(1012)；其中，沿所述反射膜组(1001)的堆叠方向，DBR结构包含：第一区域(101)及第二区域(102)，第一材料层(1011)在第一区域(101)和第二区域(102)的光学厚度范围不同，第二材料层(1012)在第一区域(101)和第二区域(102)的光学厚度范围不同。该DBR结构还可以包括设置在反射膜组(1001)下方的第二材料层(1012)。上述第一材料层(1011)的折射率小于第二材料层(1012)的折射率。通过设置材料层不同的光学厚度，上述DBR结构的第一区域(101)对芯片内部的反射最大化，第二区域(102)对35°‑45°及50°‑55°的光具有较低的透射率，从而降低芯片的正面透光率。 | ||
| 搜索关键词： | dbr 结构 led 芯片 半导体 发光 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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