[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板有效
| 申请号： | 202080007443.7 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113826222B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王庆;栗伟;何敏游;刘士伟;洪灵愿;林素慧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/06;H01L33/00;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dbr 结构 led 芯片 半导体 发光 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种分布式布拉格反射结构，其特征在于，包括：
反射膜组，所述反射膜组包括依次叠置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的折射率不同；
其中，沿所述反射膜组的堆叠方向，所述分布式布拉格反射结构包含：第一区域及第二区域，所述第一材料层在所述第一区域和所述第二区域具有不同的光学厚度范围，所述第二材料层在所述第一区域和所述第二区域具有不同的光学厚度范围，所述分布式布拉格反射结构还包含第三区域，所述第三区域位于所述第二区域的上方，所述第三区域中的第二材料层的含氧量低于所述第一区域和所述第二区域中所述第二材料层的含氧量。
2. 根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，所述第一材料层和所述第二材料层的光学厚度均大于λ0/4，其中420≤λ0≤470 nm。
3. 根据权利要求2所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，在所述第一区域中，所述第一材料层和所述第二材料层的光学厚度均为λ1/4，其中λ1≤550 nm。
4. 根据权利要求1或3所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，在所述第二区域中，所述第一材料层具有第一光学厚度，所述第一光学厚度为λ2/4；第二材料层具有第二光学厚度，所述第二光学厚度为λ3/4，其中λ2≤900 nm，λ3≤700 nm。
5.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，所述反射膜组的数量介于6~19。
6.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。
7.根据权利要求6所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，还包括形成在所述反射膜组下方的所述第二材料层。
8.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构，其特征在于，第一区域和第二区域中的第二材料层为TiO2层，第三区域中的第二材料层为TiOn层，其中，1.7≤n≤1.95。
9.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；
形成在所述第一表面上的发光外延层；以及
形成在所述衬底的第二表面上的分布式布拉格反射结构，所述分布式布拉格反射结构包括：反射膜组，所述反射膜组包括依次叠置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的折射率不同；其中，沿所述反射膜组的堆叠方向，所述分布式布拉格反射结构包含：第一区域及第二区域，所述第一材料层在所述第一区域和所述第二区域具有不同的光学厚度范围，所述第二材料层在所述第一区域和所述第二区域具有不同的光学厚度范围，所述分布式布拉格反射结构还包含第三区域，所述第三区域位于所述第二区域的上方，所述第三区域中的第二材料层的含氧量低于所述第一区域和所述第二区域中所述第二材料层的含氧量。
10. 根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述第一材料层和所述第二材料层的光学厚度均大于λ0/4，其中420≤λ0≤470 nm。
11. 根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一区域中，所述第一材料层和所述第二材料层的光学厚度均为λ1/4，其中λ1≤550 nm。
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