[发明专利]具有用于源选择栅极线的隔离结构的三维存储器件及用于形成其的方法有效
| 申请号： | 202080002341.6 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112997309B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 郭振;耿静静;袁彬;吴佳佳;王香凝;杨竹;左晨 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底；位于所述衬底上的存储堆叠层；各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的多个沟道结构；隔离结构；以及对准标记。所述存储堆叠层包括多个交织的导体层和电介质层。所述导体层中的朝向所述衬底的最外面的一个导体层是源选择栅极线(SSG)。所述隔离结构垂直地延伸进入所述衬底，并且在平面图中围绕所述沟道结构中的至少一个沟道结构，以便分隔所述SSG与所述至少一个沟道结构。所述对准标记垂直地延伸进入所述衬底，并且是与所述隔离结构共面的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 选择 栅极 隔离 结构 三维 存储 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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