[发明专利]具有用于源选择栅极线的隔离结构的三维存储器件及用于形成其的方法有效
申请号: | 202080002341.6 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112997309B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 郭振;耿静静;袁彬;吴佳佳;王香凝;杨竹;左晨 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B43/27 | 分类号: | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35;H01L23/544 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 张殿慧;刘健 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 用于 选择 栅极 隔离 结构 三维 存储 器件 形成 方法 | ||
1.一种三维(3D)存储器件,包括:
衬底;
位于所述衬底上的包括多个交织的导体层和电介质层的存储堆叠层,所述导体层中的朝向所述衬底的最外面的一个导体层是源选择栅极线(SSG);
各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的多个沟道结构;
垂直地延伸进入到所述衬底中并且在平面图中围绕所述沟道结构中的至少一个沟道结构以便将所述SSG与所述至少一个沟道结构分隔开的隔离结构;以及
垂直地延伸进入到所述衬底中并且与所述隔离结构共面的对准标记。
2.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述多个沟道结构在所述平面图中被安排在核心阵列区和边缘区中,并且所述至少一个沟道结构被安排在所述边缘区中。
3.根据权利要求2所述的3D存储器件,其中,所述存储堆叠层包括阶梯结构,所述边缘区在横向上位于所述阶梯结构与所述核心阵列区之间,并且所述至少一个沟道结构被安排在在所述平面图中与所述阶梯结构相邻的最外面的列中。
4.根据权利要求2或3所述的3D存储器件,其中,所述至少一个沟道结构的横向尺寸大于被安排在所述核心阵列区中的所述沟道结构的横向尺寸。
5.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述SSG与所述至少一个沟道结构之间的横向距离在大约40nm到大约80nm之间。
6.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述沟道结构中的每个沟道结构包括位于朝向所述衬底的一端处的半导体插塞。
7.根据权利要求6所述的3D存储器件,其中,所述隔离结构在横向上位于所述SSG与所述至少一个沟道结构的所述半导体插塞之间。
8.根据权利要求6或7所述的3D存储器件,其中,所述至少一个沟道结构的所述半导体插塞比所述沟道结构中的另一个沟道结构的半导体插塞更远地延伸进入到所述衬底中。
9.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述隔离结构和所述对准标记各自包括电介质。
10.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述对准标记垂直地延伸穿过所述SSG。
11.根据权利要求1所述的3D存储器件,还包括垂直地延伸进入到所述衬底中并且与所述隔离结构和所述对准标记共面的SSG切口。
12.一种三维(3D)存储器件,包括:
衬底;
横向地延伸的源选择栅极线(SSG);
垂直地延伸穿过所述SSG进入到所述衬底中的隔离结构;
垂直地延伸穿过所述SSG进入到所述衬底中的第一沟道结构;
垂直地延伸穿过所述隔离结构进入到所述衬底中并且通过所述隔离结构与所述SSG隔开的第二沟道结构;以及
垂直地延伸穿过所述SSG进入到所述衬底中并且与所述隔离结构共面的对准标记。
13.根据权利要求12所述的3D存储器件,其中,在平面图中,所述第一沟道结构被安排在核心阵列区中,并且所述第二沟道结构被安排在边缘区中。
14.根据权利要求13所述的3D存储器件,还包括存储堆叠层,所述存储堆叠层包括多个交织的导体层和电介质层,其中,所述SSG是所述导体层中的朝向所述衬底的最外面的一个导体层。
15.根据权利要求14所述的3D存储器件,其中,所述存储堆叠层包括阶梯结构,所述边缘区在横向上位于所述阶梯结构与所述核心阵列区之间,并且所述边缘区中的所述第二沟道结构被安排在在所述平面图中与所述阶梯结构相邻的最外面的列中。
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