[发明专利]生成增强位线电压的操作方法及非易失性存储器设备有效
| 申请号： | 202080001929.X | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112041932B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄莹;刘红涛;许锋;魏文喆 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了一种操作方法和非易失性存储器设备。该非易失性存储器设备包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个存储器单元。该操作方法包括：在第一编程周期期间，将第一编程电压信号施加到与选定存储器单元连接的选定字线，并且测量第一阈值电压；在第二编程周期期间，将第二编程电压信号施加到选定字线，并且测量第二阈值电压；在第三编程周期期间，将测试位线电压信号施加到选定位线，并且将第三编程电压信号施加到选定字线，并且测量第三阈值电压；以及通过将第三阈值电压与第二阈值电压之间的差和第二阈值电压与第一阈值电压之间的差进行比较，来确定增强位线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 增强 电压 操作方法 非易失性存储器 设备 | ||
【主权项】：
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