[发明专利]生成增强位线电压的操作方法及非易失性存储器设备有效
申请号: | 202080001929.X | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN112041932B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 黄莹;刘红涛;许锋;魏文喆 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/10 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生成 增强 电压 操作方法 非易失性存储器 设备 | ||
1.一种非易失性存储器设备的操作方法,所述非易失性存储器设备包括存储器阵列,所述存储器阵列包括多个存储器串组,每个存储器串组包括多个存储器串、多条位线和多条字线,每个存储器串耦合到所述多条位线中的一条位线,每个存储器串包括串联连接的多个存储器单元,每个存储器单元耦合到所述多条字线中的一条字线,所述操作方法包括:
在第一编程周期期间将第一编程电压信号施加到所述多条字线中的连接到所述存储器阵列的所述多个存储器单元中的选定存储器单元的选定字线,并且测量与所述选定存储器单元相关联的第一阈值电压,其中,对于每条选定字线,至少一个选定存储器单元连接到所述每条选定字线;
在第二编程周期期间将第二编程电压信号施加到连接到所述选定存储器单元的所述选定字线,并且测量与所述选定存储器单元相关联的第二阈值电压;
在第三编程周期期间将测试位线电压信号施加到所述多条位线中的选定位线并将第三编程电压信号施加到连接到所述选定存储器单元的所述选定字线,并且测量与所述选定存储器单元相关联的第三阈值电压;
通过将所述第三阈值电压与所述第二阈值电压之间的差和所述第二阈值电压与所述第一阈值电压之间的差进行比较来确定增强位线电压。
2.根据权利要求1所述的操作方法,其中,在所述第一编程周期期间将所述第一编程电压信号施加到所述多条字线中的连接到所述存储器阵列的所述多个存储器单元中的所述选定存储器单元的所述选定字线,并且测量与所述多个存储器单元相关联的所述第一阈值电压的步骤包括:
在所述第一编程周期期间,将所述第一编程电压信号施加到所述多条字线中的连接到所述选定存储器单元的所述选定字线;
测量所述选定存储器单元的多个第一测量阈值电压;以及
根据所述多个第一测量阈值电压计算所述第一阈值电压。
3.根据权利要求2所述的操作方法,其中,所述第一阈值电压是所述多个第一测量阈值电压的分布的中值或所述多个第一测量阈值电压的平均值。
4.根据权利要求1所述的操作方法,其中,在所述第二编程周期期间将所述第二编程电压信号施加到连接到所述选定存储器单元的所述选定字线,并且测量与所述多个存储器单元相关联的所述第二阈值电压的步骤包括:
在所述第二编程周期期间,将所述第二编程电压信号施加到连接到所述选定存储器单元的选定字线;
测量所述选定存储器单元的多个第二测量阈值电压;以及
根据所述多个第二测量阈值电压计算所述第二阈值电压。
5.根据权利要求4所述的操作方法,其中,所述第二阈值电压是所述多个第二测量阈值电压的分布的中值或所述多个第二测量阈值电压的平均值。
6.根据权利要求1所述的操作方法,其中,在所述第三编程周期期间将所述测试位线电压信号施加到所述多条位线中的所述选定位线并将所述第三编程电压信号施加到连接到所述选定存储器单元的所述选定字线,并且测量与所述多个存储器单元相关联的所述第三阈值电压的步骤包括:
在所述第三编程周期期间,将所述测试位线电压信号施加到所述多条位线中的连接到所述多个存储器串中的选定存储器串的选定位线;
在所述第三编程周期期间,将所述第三编程电压信号施加到连接到所述选定存储器单元的所述选定字线;
测量所述选定存储器单元的多个第三测量阈值电压;以及
根据所述多个第三测量阈值电压计算所述第三阈值电压。
7.根据权利要求6所述的操作方法,其中,所述第三阈值电压是所述多个第三测量阈值电压的分布的中值或所述多个第三测量阈值电压的平均值。
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